高德红外公告，公司碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。这是公司继掌握非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代。