【我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于 #AI /GPU #芯片 、高性能处理器等高端芯片】

从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容关键技术上取得重大 #突破 ，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。（ #上证 报）