【芯片散热有了新思路：我国科学家开发出介电基底修饰新技术】
复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队，开发了一种共形六方氮化硼修饰技术，在最低温度300摄氏度的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术，能让芯片材料性能显著提升。专家表示，这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中，共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。（新华社）