【武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产】
据湖北日报6月5日消息，6月4日，武汉新芯集成电路制造有限公司透露，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。目前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。